CSD88537ND
Artikelnummer:
CSD88537ND
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18850 Pieces
Datenblatt:
CSD88537ND.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.6V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-SOIC
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:15 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max:2.1W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen:296-37303-2
CSD88537ND-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD88537ND
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:15A
Email:[email protected]

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