DB157G
Artikelnummer:
DB157G
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15628 Pieces
Datenblatt:
1.DB157G.pdf2.DB157G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Spitzensperr- (max):1000V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 1.5A
Technologie:Standard
Supplier Device-Gehäuse:DB
Serie:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Andere Namen:DB157GGN
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Hersteller-Teilenummer:DB157G
Expanded Beschreibung:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.5A Through Hole DB
Diodentyp:Single Phase
Beschreibung:DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:5µA @ 1000V
Strom - Richt (Io):1.5A
Email:[email protected]

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