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DTA123JCAT116
- Artikelnummer:
- DTA123JCAT116
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16342 Pieces
- Datenblatt:
- DTA123JCAT116.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für DTA123JCAT116, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für DTA123JCAT116 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 20V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | SST3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm): | 47k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm): | 2.2k |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | DTA123JCAT116TR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | DTA123JCAT116 |
| Expanded Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 100mA 200mW Surface Mount SST3 |
| Beschreibung: | PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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