DTB123ESTP
DTB123ESTP
Artikelnummer:
DTB123ESTP
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13169 Pieces
Datenblatt:
DTB123ESTP.pdf

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ:PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SPT
Serie:-
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):2.2k
Widerstand - Base (R1) (Ohm):2.2k
Leistung - max:300mW
Verpackung:Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse:SC-72 Formed Leads
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:DTB123ESTP
Frequenz - Übergang:200MHz
Expanded Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
Beschreibung:TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:39 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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