DTC143ECAT116
DTC143ECAT116
Artikelnummer:
DTC143ECAT116
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19822 Pieces
Datenblatt:
DTC143ECAT116.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SST3
Serie:*
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):4.7k
Widerstand - Base (R1) (Ohm):4.7k
Leistung - max:200mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:DTC143ECAT116TR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:DTC143ECAT116
Frequenz - Übergang:250MHz
Expanded Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
Beschreibung:NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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