DTC643TUT106
DTC643TUT106
Artikelnummer:
DTC643TUT106
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16404 Pieces
Datenblatt:
DTC643TUT106.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):20V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:UMT3
Serie:-
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):-
Widerstand - Base (R1) (Ohm):4.7k
Leistung - max:200mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-70, SOT-323
Andere Namen:DTC643TUT106-ND
DTC643TUT106TR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:DTC643TUT106
Frequenz - Übergang:150MHz
Expanded Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount UMT3
Beschreibung:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:820 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):600mA
Email:[email protected]

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