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DTD123TSTP
- Artikelnummer:
- DTD123TSTP
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14775 Pieces
- Datenblatt:
- DTD123TSTP.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für DTD123TSTP, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für DTD123TSTP per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 40V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | SPT |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm): | - |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm): | 2.2k |
| Leistung - max: | 300mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-72 Formed Leads |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | DTD123TSTP |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| Expanded Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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