DTD143ECT116
DTD143ECT116
Artikelnummer:
DTD143ECT116
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16542 Pieces
Datenblatt:
DTD143ECT116.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SST3
Serie:-
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):4.7k
Widerstand - Base (R1) (Ohm):4.7k
Leistung - max:200mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:DTD143ECT116TR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:DTD143ECT116
Frequenz - Übergang:200MHz
Expanded Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Beschreibung:NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:47 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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