ECH8601M-C-TL-H
ECH8601M-C-TL-H
Artikelnummer:
ECH8601M-C-TL-H
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18958 Pieces
Datenblatt:
ECH8601M-C-TL-H.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:-
Supplier Device-Gehäuse:8-ECH
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 4A, 4.5V
Leistung - max:1.5W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:ECH8601M-C-TL-H
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Drain-Source-Spannung (Vdss):24V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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