Kaufen EM6M1T2R mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | - |
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Supplier Device-Gehäuse: | EMT6 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
Leistung - max: | 150mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen: | EM6M1T2RTR |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | EM6M1T2R |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 13pF @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.9nC @ 4.5V |
Typ FET: | N and P-Channel |
FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
Expanded Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V, 20V |
Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100mA, 200mA |
Email: | [email protected] |