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EMB6T2R
- Artikelnummer:
- EMB6T2R
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17224 Pieces
- Datenblatt:
- EMB6T2R.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für EMB6T2R, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für EMB6T2R per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm): | 47k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm): | 47k |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | EMB6T2R |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| Expanded Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Beschreibung: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 68 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für EMB6T2R
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
PBLS4004V,115 | NXP USA Inc. | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 | Anfrage |
 |
IMH9AT110 | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | Anfrage |
|
PEMH13,315 | Nexperia USA Inc. | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 | Anfrage |
 |
DCX142JU-7-F | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Anfrage |
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