Kaufen EMD29T2R mit BYCHPS
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V, 12V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor-Typ: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm): | 10k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm): | 1k, 10k |
| Leistung - max: | 120mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | EMD29T2R-ND EMD29T2RTR Q3614586 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | EMD29T2R |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz, 260MHz |
| Expanded Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6 |
| Beschreibung: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |