EMD4DXV6T5G
EMD4DXV6T5G
Artikelnummer:
EMD4DXV6T5G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13221 Pieces
Datenblatt:
EMD4DXV6T5G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-563
Serie:-
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm):47k, 10k
Leistung - max:500mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:2 Weeks
Hersteller-Teilenummer:EMD4DXV6T5G
Frequenz - Übergang:-
Expanded Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Beschreibung:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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