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EMG6T2R
- Artikelnummer:
- EMG6T2R
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14759 Pieces
- Datenblatt:
- EMG6T2R.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für EMG6T2R, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für EMG6T2R per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Transistor-Typ: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | EMT5 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm): | - |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm): | 47k |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Andere Namen: | EMG6T2R-ND EMG6T2RTR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | EMG6T2R |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| Expanded Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
| Beschreibung: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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