EMH6T2R
EMH6T2R
Artikelnummer:
EMH6T2R
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12773 Pieces
Datenblatt:
EMH6T2R.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:EMT6
Serie:-
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm):47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm):47k
Leistung - max:150mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Andere Namen:EMH6T2R-ND
EMH6T2RTR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:EMH6T2R
Frequenz - Übergang:250MHz
Expanded Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Beschreibung:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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