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EPC8009ENGR
EPC8009ENGR
Artikelnummer:
EPC8009ENGR
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16117 Pieces
Datenblatt:
1.EPC8009ENGR.pdf2.EPC8009ENGR.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:138 mOhm @ 500mA, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:EPC8009ENGR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:47pF @ 32.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.38nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die
Drain-Source-Spannung (Vdss):65V
Beschreibung:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4.1A (Ta)
Email:[email protected]

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