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FCH023N65S3L4
- Artikelnummer:
- FCH023N65S3L4
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 75A TO247
- verfügbare Anzahl:
- 17352 Pieces
- Datenblatt:
- FCH023N65S3L4.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FCH023N65S3L4, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FCH023N65S3L4 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 7.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247 |
| Serie: | SuperFET® III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 37.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 595W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-4 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 37 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FCH023N65S3L4 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 7160pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 222nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 75A TO247 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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