Kaufen FDB12N50FTM_WS mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | UniFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 700 mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 165W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | FDB12N50FTM_WSDKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 9 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FDB12N50FTM_WS |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1395pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 500V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 11.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |