FDB5800_F085
FDB5800_F085
Artikelnummer:
FDB5800_F085
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19241 Pieces
Datenblatt:
FDB5800_F085.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max):242W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDB5800_F085
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:6625pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:135nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:14A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

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