FDB6030L
FDB6030L
Artikelnummer:
FDB6030L
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12207 Pieces
Datenblatt:
FDB6030L.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max):52W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDB6030L
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 48A (Ta) 52W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:48A (Ta)
Email:[email protected]

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