FDB8444
FDB8444
Artikelnummer:
FDB8444
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15235 Pieces
Datenblatt:
FDB8444.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 70A, 10V
Verlustleistung (max):167W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:FDB8444DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:12 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FDB8444
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:8035pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:128nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 40V 70A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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