FDD3670
FDD3670
Artikelnummer:
FDD3670
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13666 Pieces
Datenblatt:
FDD3670.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:32 mOhm @ 7.3A, 10V
Verlustleistung (max):3.8W (Ta), 83W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:FDD3670DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:17 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FDD3670
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2490pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:34A (Ta)
Email:[email protected]

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