FDD5N50UTF_WS
FDD5N50UTF_WS
Artikelnummer:
FDD5N50UTF_WS
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15523 Pieces
Datenblatt:
FDD5N50UTF_WS.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D-Pak
Serie:FRFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max):40W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDD5N50UTF_WS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 500V 3A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
Beschreibung:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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