FDD6670AS
FDD6670AS
Artikelnummer:
FDD6670AS
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18327 Pieces
Datenblatt:
FDD6670AS.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D-PAK (TO-252AA)
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 13.8A, 10V
Verlustleistung (max):70W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:FDD6670AS-ND
FDD6670ASTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDD6670AS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1580pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 76A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:76A (Ta)
Email:[email protected]

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