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FDFM2N111
- Artikelnummer:
- FDFM2N111
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17098 Pieces
- Datenblatt:
- FDFM2N111.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FDFM2N111, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FDFM2N111 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | MicroFET 3x3mm |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1.7W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-MLP, Power33 |
| Andere Namen: | FDFM2N111-ND FDFM2N111TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 13 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FDFM2N111 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 273pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.8nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | Schottky Diode (Isolated) |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 20V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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