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FDMS3669S
- Artikelnummer:
- FDMS3669S
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15649 Pieces
- Datenblatt:
- FDMS3669S.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FDMS3669S, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FDMS3669S per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 250µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 13A, 10V |
| Leistung - max: | 1W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | FDMS3669STR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 26 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FDMS3669S |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1605pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 13A, 18A |
| Email: | [email protected] |
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