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FDP032N08B_F102
- Artikelnummer:
- FDP032N08B_F102
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13364 Pieces
- Datenblatt:
- FDP032N08B_F102.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FDP032N08B_F102, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FDP032N08B_F102 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220 |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 263W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 11 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FDP032N08B_F102 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 10965pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 144nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 80V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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