FDP6670AL
Artikelnummer:
FDP6670AL
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14758 Pieces
Datenblatt:
1.FDP6670AL.pdf2.FDP6670AL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.5 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max):68W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDP6670AL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2440pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 80A (Ta) 68W (Tc) Through Hole TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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