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FDR858P
- Artikelnummer:
- FDR858P
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16088 Pieces
- Datenblatt:
- FDR858P.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FDR858P, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FDR858P per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SuperSOT™-8 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19 mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.8W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Gull Wing |
| Andere Namen: | FDR858P-ND FDR858PTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | FDR858P |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2010pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 30V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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