FDR8702H
Artikelnummer:
FDR8702H
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19776 Pieces
Datenblatt:
FDR8702H.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:SuperSOT™-8
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Leistung - max:800mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Gull Wing
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDR8702H
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Typ FET:N and P-Channel
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.6A, 2.6A
Email:[email protected]

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