FDV302P
Artikelnummer:
FDV302P
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18193 Pieces
Datenblatt:
1.FDV302P.pdf2.FDV302P.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-23
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max):350mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:FDV302PTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:12 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FDV302P
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.31nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.7V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):25V
Beschreibung:MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:120mA (Ta)
Email:[email protected]

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