FDWS86369_F085
Artikelnummer:
FDWS86369_F085
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET NCH 80V 65A POWER56
verfügbare Anzahl:
17920 Pieces
Datenblatt:
FDWS86369_F085.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:Power56
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 65A, 10V
Verlustleistung (max):107W (Tj)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:FDWS86369_F085DKR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FDWS86369_F085
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2470pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 80V 65A (Tc) 107W (Tj) Surface Mount Power56
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
Beschreibung:MOSFET NCH 80V 65A POWER56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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