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FGA50N100BNTDTU
- Artikelnummer:
- FGA50N100BNTDTU
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12225 Pieces
- Datenblatt:
- FGA50N100BNTDTU.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FGA50N100BNTDTU, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FGA50N100BNTDTU per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1000V |
|---|---|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.9V @ 15V, 60A |
| Testbedingung: | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | - |
| Schaltenergie: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 1.5µs |
| Leistung - max: | 156W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FGA50N100BNTDTU |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | NPT and Trench |
| Gate-Ladung: | 275nC |
| Expanded Beschreibung: | IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P |
| Beschreibung: | IGBT 1000V 50A 156W TO3P |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 100A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für FGA50N100BNTDTU
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Anfrage |
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IXBH10N170 | IXYS | IGBT 1700V 20A 140W TO247AD | Anfrage |
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