FQAF11N90C
FQAF11N90C
Artikelnummer:
FQAF11N90C
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12916 Pieces
Datenblatt:
FQAF11N90C.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-3PF
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.1 Ohm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max):120W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:SC-94
Andere Namen:FQAF11N90C-ND
FQAF11N90CFS
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FQAF11N90C
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3290pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 900V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Drain-Source-Spannung (Vdss):900V
Beschreibung:MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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