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FQB32N12V2TM
- Artikelnummer:
- FQB32N12V2TM
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15671 Pieces
- Datenblatt:
- FQB32N12V2TM.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FQB32N12V2TM, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FQB32N12V2TM per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | FQB32N12V2TM |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1860pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 53nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 120V 32A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 120V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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