FQB47P06TM_AM002
FQB47P06TM_AM002
Artikelnummer:
FQB47P06TM_AM002
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17709 Pieces
Datenblatt:
FQB47P06TM_AM002.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK (TO-263AB)
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 23.5A, 10V
Verlustleistung (max):3.75W (Ta), 160W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:FQB47P06TM_AM002-ND
FQB47P06TM_AM002TR
FQB47P06TMAM002
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:9 Weeks
Hersteller-Teilenummer:FQB47P06TM_AM002
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 60V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

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