Kaufen FQB5P20TM mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2.4A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.13W (Ta), 75W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | FQB5P20TM |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 430pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 200V 4.8A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |