FQD10N20CTF
FQD10N20CTF
Artikelnummer:
FQD10N20CTF
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18888 Pieces
Datenblatt:
1.FQD10N20CTF.pdf2.FQD10N20CTF.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D-Pak
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 3.9A, 10V
Verlustleistung (max):50W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FQD10N20CTF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 200V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
Beschreibung:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7.8A (Tc)
Email:[email protected]

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