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FQI13N06LTU
- Artikelnummer:
- FQI13N06LTU
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12028 Pieces
- Datenblatt:
- FQI13N06LTU.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FQI13N06LTU, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FQI13N06LTU per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I2PAK |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 6.8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | FQI13N06LTU |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.4nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 13.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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