Kaufen FQI17P06TU mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I2PAK |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.75W (Ta), 79W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | FQI17P06TU |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 60V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |