Kaufen FQI4P40TU mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | I2PAK |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.1 Ohm @ 1.75A, 10V |
Verlustleistung (max): | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | FQI4P40TU |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 680pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | P-Channel 400V 3.5A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Through Hole I2PAK |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 400V |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |