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FQN1N50CBU
- Artikelnummer:
- FQN1N50CBU
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 17018 Pieces
- Datenblatt:
- FQN1N50CBU.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FQN1N50CBU, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FQN1N50CBU per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6 Ohm @ 190mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 890mW (Ta), 2.08W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | FQN1N50CBU |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 195pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.4nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 380mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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