Kaufen FQNL2N50BTA mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
VGS (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.3 Ohm @ 175mA, 10V |
Verlustleistung (max): | 1.5W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Andere Namen: | FQNL2N50BTA-ND FQNL2N50BTATB |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | FQNL2N50BTA |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 230pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 500V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 350mA (Tc) |
Email: | [email protected] |