FQP2N30
Artikelnummer:
FQP2N30
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16851 Pieces
Datenblatt:
1.FQP2N30.pdf2.FQP2N30.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.7 Ohm @ 1.05A, 10V
Verlustleistung (max):40W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FQP2N30
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:130pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 300V 2.1A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss):300V
Beschreibung:MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

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