FQPF6P25
FQPF6P25
Artikelnummer:
FQPF6P25
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12780 Pieces
Datenblatt:
FQPF6P25.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220F
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Verlustleistung (max):45W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FQPF6P25
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:780pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 250V 4.2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220F
Drain-Source-Spannung (Vdss):250V
Beschreibung:MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4.2A (Tc)
Email:[email protected]

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