Kaufen FQT5P10TF mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-223-4 |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.05 Ohm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-261-4, TO-261AA |
| Andere Namen: | FQT5P10TF-ND FQT5P10TFTR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 11 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | FQT5P10TF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 100V 1A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |