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FQU2N80TU
- Artikelnummer:
- FQU2N80TU
- Hersteller:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19996 Pieces
- Datenblatt:
- 1.FQU2N80TU.pdf2.FQU2N80TU.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für FQU2N80TU, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FQU2N80TU per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I-Pak |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.3 Ohm @ 900mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | FQU2N80TU |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 1.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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