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GA35XCP12-247
GA35XCP12-247
Artikelnummer:
GA35XCP12-247
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 1200V SOT247
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15264 Pieces
Datenblatt:
GA35XCP12-247.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:3V @ 15V, 35A
Testbedingung:800V, 35A, 22 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:-
Schaltenergie:2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247AB
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):36ns
Leistung - max:-
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:1242-1141
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:18 Weeks
Hersteller-Teilenummer:GA35XCP12-247
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:PT
Gate-Ladung:50nC
Expanded Beschreibung:IGBT PT 1200V Through Hole TO-247AB
Beschreibung:IGBT 1200V SOT247
Strom - Collector Pulsed (Icm):35A
Strom - Kollektor (Ic) (max):-
Email:[email protected]

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