Kaufen GP1M005A050H mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-220 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.65 Ohm @ 2.25A, 10V |
Verlustleistung (max): | 92.5W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | GP1M005A050H |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 627pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 500V 4.5A (Tc) 92.5W (Tc) Through Hole TO-220 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |