Kaufen GP1M008A080H mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-220 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max): | 250W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
Andere Namen: | 1560-1170-1 1560-1170-1-ND |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | GP1M008A080H |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1921pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 8A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 8A TO220 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |